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32层MLO半导体测试PCB

32层MLO半导体测试PCB原图
UGPCB 32层MLO半导体测试PCB采用BT+ABF材质,32层(13+6+13)结构,支持35μm微孔与80μm C4间距,厚度仅1.2mm,定位公差6.3μm,专用于高频芯片测试与先进封装验证,提供高密度布线与超低信号损耗解决方案。
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32层MLO半导体测试PCB商品详情

商品特点


产品概况与定位

UG公司推出的32层MLO(多层有机基板)半导体测试PCB,专为高精度半导体测试需求设计。其核心参数包括32层堆叠(13+6+13结构)、70mm×70mm紧凑尺寸、1.2mm超薄厚度,采用BT树脂与ABF(味之素积层膜)复合材质,支持最小35μm过孔及80μm C4凸点间距,满足±6.3μm的高精度位置公差要求,适用于先进封装与芯片测试领域。

产品定义与技术背景

MLO半导体测试PCB是一种基于多层有机材料的高密度互连基板,专用于半导体晶圆测试、封装验证等环节。其核心功能是通过精密线路传递电信号,检测芯片性能参数,确保良品率。该产品通过优化层间堆叠与微孔技术,解决了高频信号传输中的损耗与干扰问题。

设计要点解析

1.  层叠结构:13+6+13不对称设计,中间6层为高频信号层,两侧13层用于电源与接地,降低电磁干扰。

2.  材料选择:BT树脂提供高耐热性(Tg>200℃),ABF膜实现超薄介电层(单层厚度≤5μm),提升信号完整性。

3.  线路精度:20μm线宽/23μm线距(L/S)与35μm微孔,支持高密度布线。

4.  定位控制:±6.3μm位置公差确保C4凸点与芯片焊盘精准对位,减少测试误差。

工作原理与信号传输

该PCB通过内部32层线路构建三维互连网络,利用ABF材质的低介电常数(Dk≈3.3)减少信号延迟。测试时,待测芯片通过C4凸点(80μm间距)与PCB连接,信号经微孔和盲埋孔传输至测试设备,实时反馈芯片电性能数据。

核心用途与行业分类

主要用途

·     半导体晶圆级测试(WLCSP)

·     2.5D/3D封装验证

·     高速数字芯片(如CPU、GPU)功能测试

行业分类

·     按应用:封装测试基板、探针卡基板

·     按技术:高频高速PCB、高密度互连(HDI)PCB

材质特性与性能优势

材质组合

·     BT树脂:高玻璃化转变温度,抗湿热性能优异,确保长期稳定性。

·     ABF:超薄可积层特性,支持微细线路成型,降低传输损耗。

性能亮点

·     介电损耗(Df)≤0.008@10GHz

·     热膨胀系数(CTE)匹配硅芯片(≤8ppm/℃)

·     耐电压强度>50kV/mm

结构设计与创新特点

分层结构

1.  外层(1-13层):电源/接地层,采用厚铜箔(2oz)降低阻抗。

2.  中间层(14-19层):高频信号层,ABF膜实现20μm超细线路。

3.  微孔设计:激光钻孔+填孔电镀技术,实现35μm过孔可靠性。

核心特点

·     1.2mm厚度内集成32层,单位面积布线密度达120cm/cm²

·     支持10GHz以上高频测试,信号畸变率<3%

·     耐温范围-55℃~260℃,适应多次回流焊工艺

生产流程与工艺控制

1.  材料预处理:BT基板清洁与ABF膜压合

2.  激光钻孔:CO₂激光器加工35μm微孔

3.  图形化工艺:半加成法(SAP)实现20/23μm L/S

4.  电镀填孔:脉冲电镀确保孔内无空隙

5.  层压对位:X射线定位系统控制±6.3μm公差

6.  表面处理:化学镍钯金(ENEPIG)保护焊盘

典型使用场景与适配设备

应用场景

·     晶圆探针台(Prober)配套测试模组

·     系统级测试(SLT)设备接口板

·     先进封装(如CoWoS、FOWLP)工艺验证

适配芯片类型

·     7nm/5nm制程逻辑芯片

·     HBM高带宽存储器

·     射频前端模组(RF FEM)



商品参数

层数:32 (13+6+13)
尺寸:70*70
厚度:1.2
材质:BT+ABF
最小过孔:35
L/S:20/23
C4 Pitch:80
位置公差:+/-6.3um
平整度:50/75

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